一、软X射线辐照引入于SiO_2中的中性陷阱（论文文献综述）
张曦月,张乐,孙炳恒,马跃龙,康健,侯晨,姜本学,刘永福,陈浩[1]（2021）在《高功率密度激发荧光材料的反常热猝灭效应》文中进行了进一步梳理荧光转换材料普遍存在的发光强度随温度升高而降低的热猝灭现象严重影响了器件的性能,限制了其在高功率发光二极管（LED）/激光二极管（LD）照明中的应用。然而,部分荧光材料却会出现随着温度升高发光强度增大的现象,即反常热猝灭效应。反常热猝灭作为提升发光材料及其器件应用性能的有效途径得到了广泛研究。本文总结了目前反常热猝灭效应在发光领域的研究现状及应用,阐述了发光反常热猝灭的机理,并对其未来发展趋势进行了展望,以期开发出具有更优反常热猝灭特性的新型发光材料,满足高效高功率LED/LD照明器件的应用需求。
董志敏[2]（2021）在《壳层TiO2界面电子的调控及光催化还原U（Ⅵ）性能与机理研究》文中指出近年来,光催化技术将可溶的U（Ⅵ）还原至难溶的U（IV）被认为是放射性环境污染修复的有效策略之一。TiO2具有高效、稳定且环境友好等优点,在光催化还原U（Ⅵ）领域备受关注,但其光催化还原U（Ⅵ）时需要保护气（N2或Ar）和空穴牺牲剂,限制其实际应用。基于此,本论文通过精准调控TiO2界面的电子迁移,以达到增强光催化还原U（Ⅵ）活性的目标,并提出构筑高效TiO2光催化剂的新策略。主要研究内容如下:（1）以葡萄糖为交联剂,采用高温水热法,将纳米二氧化钛空心球（H-TiO2）负和还原氧化石墨烯（RGO）自组装为新型3D复合气凝胶（3D RGO@TiO2-x）,旨在提高H-TiO2光催化还原U（Ⅵ）的效率。复合材料中的RGO不仅提供了丰富的吸附和催化活性位点作为理想的载体,而且RGO与H-TiO2之间形成类肖特基异质结促进TiO2导带的电子分离和转移。可见光照射140 min,3D RGO@TiO2-3（GO和H-TiO2的质量比为1:1）对U（Ⅵ）去除率达到99.5%表现出最佳光催化还原U（Ⅵ）的活性,其表观速率常数是3D RGO的5倍,且循环使用5次后去除效率仅下降7.67%,也易于固液分离。3D RGO@TiO2-x的构建突破了惰性保护气的限制,在空气中光生电子和超氧自由基的还原作用可将可溶性的U（Ⅵ）还原为（UO2）O2·2H2O。（2）结合硬模板法和水热反应法成功合成TiO2@CdS和CdS@TiO2双壳层纳米空心球,并用于光催化还原U（Ⅵ）。在H-TiO2壳层引入CdS能够显着提高光利用率,TiO2@CdS-2双壳层纳米空心球（CdS的质量百分数为16.8%）的光催化速率最快,光照10 min即可完全去除溶液中的U（Ⅵ）,其光催化表观速率常数分别是H-TiO2和CdS空心球的59和16.5倍,5次循环后去除率仍能保持88%以上。3 mmol·L-1 Na HCO3可代替空穴捕获剂（甲醇）,光催化20 min,TiO2@CdS-2的U（Ⅵ）去除率可达99.1%。TiO2@CdS-2界面处的电子传递符合Z型传导机制,该机制能提高光生电子汇集CdS表面的效率,与超氧自由基协同还原U（Ⅵ）为α-U3O8。（3）以TiO2@CdS-2为基体,通过液相化学还原法将金纳米粒子（Au NPs）均匀分散沉积其外表面上制备TiO2@CdS@Au三元异质结。与TiO2@CdS-2相比,TiO2@CdS@Au的光吸收范围和强度皆显着增强。与负载其他还原助催化剂（1%Pt、1%GOQDs）相比,TiO2@CdS-2双壳空心球外表面负载Au NPs（TiO2@CdS@Au-2）光催效率最佳,30 min内对U（Ⅵ）的去除率可达99.4%,光催化表观速率常数是TiO2@CdS-2的3.57倍;五次光催化循环后U（Ⅵ）的去除率仍保持93.8%。当3·mmol·L-1Na HCO3代替甲醇时,光辐照25 min中TiO2@CdS@Au-2对U（Ⅵ）去除率为99.5%。由于TiO2与CdS的Z型能带结构和Au NPs的表面等离子效应协同作用,促进光生电子聚集于Au NPs表面,与超氧基自由基共同将吸附在光催化剂表面的U（Ⅵ）转换成α-U3O8。（4）提出一种新型的薄层异质结和空间分离助催化剂协同策略,即将Mn Ox和Au NPs分别负载于TiO2@CdS空心球的内表面和外表面,构建Mn Ox@TiO2@CdS@Au多层壳空心球,其颗粒尺寸约300 nm,壳层厚度约43 nm。该协同策略可扩宽光响应范围,实现了光生电子-空穴空间分离以及光生电子定向调控,增强对太阳光的利用率。模拟太阳光辐照50 min,Mn Ox@TiO2@CdS@Au对U（Ⅵ）的去除率可达到98.9%;五次光催化循环后仍保持94.8%;添加3 mmol·L-1 Na HCO3后,Mn Ox@TiO2@CdS@Au在15 min内对U（Ⅵ）的去除率达到99.6%,光催化表观速率常数分别是Mn Ox@TiO2@CdS、TiO2@CdS@Au-2和TiO2@CdS-2的3、1.3和4.9倍。更重要的是,应用于真实铀矿废水(CU（Ⅵ）=132 ppm),Mn Ox@TiO2@CdS@Au对U（Ⅵ）的去除率高达56.67%。在三重内建电场的驱动下实现光生电子定向调控,大幅度提高荧光寿命,光生电子和超氧自由基共同作用将U（Ⅵ）反应成α-U3O8。（5）将Co3O4氧化助催化剂和Au NPs还原助催化剂分别分布在中空多面体TiO2@CdS的内外表面,构筑Co3O4@TiO2@CdS@Au的中空多面体状异质结,以进一步验证薄层异质结和空间分离助催化剂协同策略的可行性。在模拟太阳光照射10 min后,Co3O4@TiO2@CdS@Au对U（Ⅵ）的去除率高达98.8%,光催化还原速率常数分别是Co3O4@TiO2和Co3O4@TiO2@CdS的31和3.3倍;五次光催化循环后Co3O4@TiO2@CdS@Au仍能完全去除U（Ⅵ）,表现出优异的光催化稳定性。TiO2@CdS构建Z型能带结构的异质结和空间分离的助催化剂驱动电子和空穴向相反的方向流动,将光生电子聚集于Au NPs表面,增强光催化剂光催化还原活性,证实薄层异质结和空间分离助催化剂的协同策略适用于多种中空形状以及不同类型的助催化剂。综上所述,采用薄层异质结和空间分离助催化剂的协同策略构筑的多壳层TiO2基光催化剂光催化还原U（Ⅵ）过程突破了保护气和牺牲剂限制,为进一步设计构筑清洁高效的光催化剂提供了可行的理论和实际依据,对于含铀废水的环境修复具有重要意义。
徐彦乔[3]（2021）在《离子液体辅助制备Cu-In-Zn-S和CsPbX3纳米晶及其荧光性能研究》文中研究指明半导体纳米晶由于具有独特的光电性质,在发光二极管、太阳能电池、光电探测、生物成像等领域引起了广泛的关注。目前,镉基纳米晶已率先实现了商业应用,但是仍存在制备工艺复杂、制备成本较高等问题,成为了该类材料大规模应用道路上的绊脚石。因此,发展新型高效、低成本的半导体纳米晶及其制备技术具有重要意义。本文利用离子液体特殊的物理化学性质,以不同类型的离子液体为出发点,探索了其在多元和钙钛矿纳米晶合成过程中的作用机理,借助离子液体与配体的协同作用实现对纳米晶生长动力学和发光动力学的有效调控。主要开展了以下四方面的工作:（1）针对水相合成Cu-In-Zn-S（CIZS）多元纳米晶存在反应时间较长、量子产率偏低的突出问题,发展了一种离子液体辅助水热法快速制备CIZS纳米晶的新途径。利用含氟离子液体1-甲基咪唑四氟硼酸盐（[Mim]BF4）在反应过程中形成的F-对纳米晶的表面悬键进行刻蚀,同时结合宽带隙半导体材料ZnS的表面包覆,充分钝化纳米晶的表面缺陷,将其荧光量子产率由6.2%提高至31.2%。此外,离子液体较低的表面张力有效地提高了纳米晶的瞬间成核率,反应时间由5 h缩短至1 h。随后,将CIZS/ZnS纳米晶与聚乙烯吡咯烷酮（PVP）基质复合,制备了CIZS/ZnS/PVP复合荧光粉,并结合Lu3Al5O12:Ce3+荧光粉与蓝光芯片组装成白光LED,器件的发光效率（LE）高达90.11 lm/W,显色指数（CRI）和色温（CCT）分别为87.2和4977 K,说明CIZS/ZnS/PVP复合荧光粉在固态照明领域极具应用潜力。（2）为了获得兼具制备成本低廉及荧光性能优异的纳米晶材料,采用离子液体辅助过饱和重结晶法制备了CsPbBr3纳米晶。通过引入含溴离子液体1-丁基-3-甲基咪唑溴盐（[Bmim]Br）改善纳米晶的表面性质,提高了纳米晶表面Br元素的含量,纳米晶的表面由缺Br态向富Br态转变,量子产率由78.73%增加至91.04%。此外,[Bmim]Br有助于调控CsPbBr3纳米晶的形貌及晶粒尺寸,提高了纳米晶的粒径均匀性。更为重要的是,纳米晶的光、储存稳定性也得到了显着的提高,在室温下存储91天或在紫外灯下连续照射24 h后均能保持80%以上的初始荧光强度。最后,通过阴离子交换反应获得了一系列不同组分的CsPbX3纳米晶,其发射峰在462～665 nm范围内连续可调,色域可达北美国家电视标准委员会（NTSC）标准的129.65%,为高质量钙钛矿纳米晶的制备及其光电应用提供了参考。（3）针对钙钛矿纳米晶因存在表面Pb缺陷而导致荧光性能及稳定性降低的问题,提出了一种简单高效的含氟酸根离子液体原位钝化表面缺陷的策略。通过在纳米晶的合成过程中引入含氟酸根离子液体1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐（[Bmim]BF4）,分别利用离子液体的阴、阳离子的协同作用原位消除纳米晶表面富余的Pb0和表面悬键,充分钝化纳米晶的表面缺陷,其荧光量子产率可由63.82%提升至94.63%。此外,研究结果进一步证实了其它类型的含氟酸根离子液体均可有效提升纳米晶的荧光性能,表明该原位钝化策略具有普适性。吸附在纳米晶表面的[Bmim]+为纳米晶提供了疏水性的保护壳层,因此纳米晶的储存、光、水、热稳定性均得到了显着的提升。将制得的纳米晶应用于白光LED中,器件的LE高达100.07lm/W,色域覆盖范围可达NTSC标准的140.64%,说明CsPbBr3纳米晶在背光显示领域极具应用潜力。（4）为进一步提升CsPbBr3纳米晶的稳定性,发展了一种简单快速制备CsPbBr3@SiO2纳米晶的新途径。利用离子液体[Bmim]BF4具有较大的极性和一定的吸湿性捕捉空气中的水分,促进APTES快速水解形成SiO2层包覆于CsPbBr3纳米晶的表面,SiO2的最佳包覆时间由10 min显着缩短至20 s。此外,离子液体疏水性的有机阳离子吸附在纳米晶表面,有效避免了纳米晶在包覆过程中因被水或醇侵蚀而造成荧光性能的衰减。因此,CsPbBr3@SiO2纳米晶的稳定性得到了显着的提高,保存120天后,仍可维持96.12%的初始荧光强度。随后,制备了一系列不同组分的CsPbX3@SiO2纳米晶,其发光峰的中心位置可在421.2～651.6 nm范围内调谐,色域可达NTSC标准的143.57%。由于SiO2比CsPbX3纳米晶具有更高的导带底和更低的价带顶,因此可将电子与空穴限制在CsPbX3内,钝化了纳米晶的表面态,从而提升了CsPbX3纳米晶的荧光性能。最后,将CsPbBr3@SiO2纳米晶与CIZS/ZnS/PVP复合荧光粉结合组装成白光LED,器件的CRI高达90.5,CCT为4715 K,LE为41.57 lm/W。本工作为快速可控制备CsPbX3@SiO2纳米晶及其光电应用奠定基础。
沈涛[4]（2021）在《二维MoS2光电性能调控及器件基础研究》文中研究表明二维纳米材料因其原子级厚度、表面无悬挂键以及柔性透明等特点在新一代电子与光电子领域表现出巨大的应用潜力。近年来,以MoS2为代表的二维过渡金属硫化合物成为继石墨烯之后广受关注的二维半导体材料体系,究其原因是因其具有合适的禁带宽度以及可观的载流子迁移率。合适的带宽能确保MoS2场效应晶体管具有较高的开关比,但同时使得其物理化学性质更容易受到表界面环境改变的扰动。一方面,物理手段以及化学分子修饰对载流子输运性能的影响和机制尚需明确。另一方面,虽然二维MoS2由于其独特的光电特性被广泛研究用于高性能光电探测器,但目前基于MoS2的光电性能仍需进一步提升。本论文立足二维MoS2材料,采用化学气相沉积法优化制备了高质量的二维MoS2材料,阐明了其生长机理。以单层MoS2纳米片为对象,研究了电子束辐照下单层MoS2的电学性能演变规律,并探讨了其电荷传输机制;利用有机小分子CuPc对单层MoS2进行了有效掺杂,阐明了 CuPc分子修饰对MoS2光电性能的影响规律和调控机理;设计构建了绿色低成本高性能的CuInSe2/MoS2混合维度范德华异质结,实现了紫外到近红外光的超灵敏探测,并揭示了其光增益机制。通过优化工艺参数,在常压下制备了单层MoS2三角形纳米片,样品最大尺寸达263.5 μm,为单晶结构,影响单层MoS2三角形纳米片尺寸的关键因素是反应温度、保温时间和氧气流量。采用低压CVD法制备了均匀连续的单层MoS2薄膜,研究表明生长前驱体和衬底的选择对MoS2薄膜的生长较关键。构筑了基于单层MoS2三角形纳米片和单层MoS2薄膜的场效应晶体管,比较分析了两种器件的电输运性能。利用电子束辐照调控了单层MoS2的缺陷水平,研究了不同辐照参数下单层MoS2中硫空位密度的变化规律,建立了电子束辐照、硫空位密度与二维MoS2电输运性能之间的内在联系,揭示了电子束辐照下单层MoS2的电荷传输机制。研究表明电子束辐照后单层MoS2器件源漏电流提升约3个数量级,载流子迁移率提高约80倍,最大电子迁移率可达83 cm2/Vs。电子束辐照可以引起MoS2的电荷传输机制由带状传输转变为莫特变程跳跃传输,凭借其传输优势诱导高的电子迁移率。在这一模型中,电子束辐照产生的硫空位充当了局域态,为电荷传输提供了更多的通道,硫空位密度控制在5.5%左右,可以最大化电荷传输效率。利用有机小分子CuPc对单层MoS2进行了有效掺杂,系统研究了 CuPc分子对MoS2光学、电学及光电子学的影响规律和内在机理。通过拉曼偏移、光致发光效率增强、电学传输极性改变以及光响应动力学改善等一系列表征分析结果,阐明了 CuPc分子修饰对MoS2中载流子类型、载流子浓度和激子发射的影响规律,并从能带结构层面揭示了 CuPc分子对单层MoS2界面载流子动力学的调控机理,证实了化学分子修饰对二维纳米材料光电性能的高效调控能力。围绕二维MoS2基光电探测器的功能以及性能优化,设计选取环境友好、优异光吸收系数、宽吸收范围、低成本溶液合成的CuInSe2量子点。通过将CuInSe2量子点与单层MoS2耦合,构筑了有利于载流子分离传输的type II型能带排列的0D-2D混合维度范德华异质结,实现了紫外到红外光范围的超灵敏检测。相应光电晶体管的光响应度和探测率分别提高约30倍和20倍,响应速度提高约50倍,1064 nm激发波长下的响应度高达74.8 A/W,研究并揭示了该高性能光电晶体管的增益机制。该研究工作以设计高性能二维MoS2基场效应晶体管和光电功能器件为导向,从缺陷浓度控制、化学分子修饰、混合维度范德华异质结构筑等方面出发,实现了对二维MoS2光电性能的有效调控。该研究对二维材料电输运特性以及界面载流子行为有了进一步的理解,为高性能光电子器件的开发提供了新的思路,有望推动其在光电信息领域的进一步发展和突破。
巩枭凯[5]（2021）在《无铅双钙钛矿Cs2AgInCl6的合成及光学性能研究》文中提出卤化铅钙钛矿中铅的毒性问题对生态环境和人类健康造成潜在危害,这引起了世界各国的广泛关注。因此,寻找稳定的、光电效能高的无铅钙钛矿替代品是非常有必要的。无铅双钙钛矿Cs2AgInCl6因其稳定性好、载流子寿命长、易于加工并具有直接带隙等优点被认为是非常有潜力的替代材料。但Cs2AgInCl6目前还存在以下几点问题:受到奇偶禁戒跃迁的限制,发光效率不够高;其激发光源都得选用紫外光源或者激发能量更高的光源,不利于未来的应用与发展;发射线太宽,无法在显示器件领域得到应用;稳定性还不足以达到实际商业应用水平。本文探讨了利用SiO2对Cs2AgInCl6进行结构调整,以此方式来提高其发光强度和稳定性,制备Cs2KxAg0.6Na0.4In0.8Bi0.2Cl6Brx和Cs2KxAg0.6Na0.4In0.8Bi0.2Cl6Ix微晶,实现了橘色和红色的纯色光发射。具体内容如下:1、为了提高Cs2AgInCl6的发射强度和稳定性,利用SiO2对Cs2AgInCl6进行结构调整。SiO2改变了Cs2AgInCl6的生长方式和晶体形貌,从八面体变成截塔八面体。结构改变后,晶胞分散,突破吸收极限,SiO2还钝化了材料表面,形成抗氧化保护膜。因此,光致发光的发射强度提高了181.5%,稳定性提高了83.11%。此外,还发现了Cs2AgInCl6在低温下（20 K）的一种新的双发射现象(λex=365 nm:λem≈580 nm;λex=325 nm:λem≈505 nm);这一现象解释了Cs2AgInCl6在室温下400-450 nm的肩状发射问题,阐明了其发光机理。2、在Na+和Bi3+掺杂使Cs2AgInCl6的PLQY提升至86%基础上进一步发展了Cs2KxAg0.6Na0.4In0.8Bi0.2Cl6Brx微晶,并实现了低温下蓝光激发以及窄谱发射。通过测量拟合随温度变化的发射峰强度、峰值能量、半高宽变化以及PLE和荧光寿命,系统的研究了其蓝光激发的本质。K+和Br-掺杂后形成了过渡性的非局域化施主能级,从而改变了激子激发与跃迁过程。3、Cs2Ag0.6Na0.4In0.8Bi0.2Cl6/xKBr和Cs2Ag0.6Na0.4In0.8Bi0.2Cl6/x KI微晶以固相压制的方法合成。新开发的材料可以在室温下蓝光激发,发射橘色和红色的纯色光。通过拟合变温PL,研究了KBr和KI两种掺杂类型在发射上的本质区别。纯色发光有望极大的推动无铅钙钛矿在显示器件领域中的研究进展。
肖涛[6]（2021）在《含PtSn合金纳米颗粒的中空介孔二氧化硅纳米反应器的制备及其在糠醛加氢中的应用》文中研究指明本文旨在研发用于糠醛加氢制备糠醇的高效选择性加氢催化剂。论文开发了一种通过金属离子、三齿配体和双嵌段高分子自组装形成胶束,并以此为模板一步法合成含PtSn合金纳米颗粒的中空介孔二氧化硅纳米反应器（PtxSny@HMSNs）的制备方法。由于其独特的中空介孔结构,该催化反应器在糠醛加氢制糠醇反应中展现了优异的性能。主要研究内容和结论如下:（1）含PtSn合金纳米颗粒的中空介孔二氧化硅纳米反应器的可控合成。三齿配体（L3）与Pt、Sn金属离子配位络合形成带负电的络合物网络,并通过静电吸引与带正电的双嵌段聚合物（P2MVP128-b-PEO477）自组装形成含Pt、Sn双金属离子的高分子胶束。以此胶束为模板沉积二氧化硅,经过焙烧、还原制备了一系列PtxSny@HMSNs。论文研究了Sn/Pt 比例、焙烧及还原温度对纳米反应器的形貌、物相和织构性能的影响。XRD、BET、HAADF-STEM及EDS面扫描的结果表明:在焙烧温度大于400℃及500℃下H2还原,形成了～29 nm的中空纳米反应器,壳层含有～9nm介孔,内含的金属颗粒为～4 nm的PtSn固溶体合金。（2）PtxSny@HMSNs在糠醛加氢制糠醇反应中的应用。论文制备了一系列比例的PtxSny@HMSNs,并应用与糠醛液相催化加氢反应中,研究了金属比例、反应器制备及催化反应条件对糠醛加氢的影响。研究表明:Pt1Sn0.3@HMSNs具有最佳的催化活性和糠醇选择性,异丙醇溶剂对催化性能有较大提升。对比负载型Pt1Sn0.3/SiO2,本文合成的Pt1Sn0.3@HMSNs由于金属活性组分被包覆在二氧化硅反应器内,有效地防止了金属活性组分的生长,减少金属活性组分的流失,同时由于壳层的限域效应,可以增加反应底物和金属活性组分的碰撞概率,从而提高了催化剂的活性和稳定性。Pt1Sn0.3@HMSNs进一步用于α,β-不饱和醛和酮的加氢中,其均展现出高转化率和对饱和醇的高选择性,相较之下,Pt@HMSNs对饱和醇的选择性较差。
关晓宁[7]（2021）在《掺锗二氧化硅光纤的物性调控研究》文中研究说明掺锗二氧化硅光纤是通信、航天航空、医疗、军事和其他光电子领域的关键材料,尤其是它的抗辐射性能、光敏特性和光致发光越来越受到关注。光纤材料中存在的各种缺陷是导致其不同特性变化的重要因素,在制作过程中引入的杂质粒子也可能影响光纤的性能。本论文系统的研究了掺锗二氧化硅光纤材料体系的几何性质、缺陷结构和稳定性。此外,基于掺锗二氧化硅光纤在多领域辐射环境下的应用,以及其光敏特性和发光特性的研究需求,本论文通过杂质粒子的掺杂进一步探索光纤体系中缺陷与杂质粒子的相互作用以及对光纤性能的影响。本论文的主要研究内容包括:（1）掺锗二氧化硅光纤材料本征缺陷性质研究。本论文系统地模拟了掺锗二氧化硅光纤的环状结构和氧空位缺陷结构的几何性质和稳定性。研究结果表明,随着掺锗量的增加,Ge原子的替换位点发生聚集,且掺入的锗倾向于以GeO2团簇的形式存在。对比掺锗二氧化硅体系中包含氧空位模型的稳定性,发现单个氧空位缺陷更容易在五元环结构中形成,双氧空位缺陷更容易在四元环结构中形成。（2）掺锗二氧化硅光纤材料掺杂缺陷性质研究。本论文综合考虑二氧化硅体系中掺杂Ge原子的位置,构建了 Ge原子替换Si原子或O原子的光纤模型,计算了掺锗二氧化硅模型的结构性质、电子性质和光谱特性。在二氧化硅体系中掺杂的Ge原子替换O原子的位置形成Ge2+缺陷结构,使得带隙中出现三个缺陷能级,导致了～5.12 eV处的光吸收峰,且掺入的锗替换位点最有可能产生在五元环中。（3）掺锗二氧化硅光纤材料杂质粒子与缺陷相互作用研究。本论文系统地研究了掺锗二氧化硅光纤中杂质粒子与锗氧空位缺陷（Ge-ODC）缺陷的反应机制,计算了光纤模型的几何性质、结构稳定性、折射率、电子性质和光吸收谱。分析了杂质粒子Al掺入的最稳定结构,结果表明Al的掺入使得由Ge-ODC缺陷导致的在5.15 eV处的吸收峰消失,而在吸收光谱中4 eV处引入了一个新的吸收峰。考虑了单氧空位和双氧空位缺陷结构的二氧化锗模型,讨论了分子氟和原子氟对氧空位缺陷的钝化机制。（4）掺锗二氧化硅光纤材料发光特性研究。针对掺锗二氧化硅在发光领域的应用,本论文系统地研究了二氧化锗模型中Ce3+离子掺杂的几何结构参数、前线分子轨道、能级图、吸收光谱和发射光谱。考虑了 Ce3+离子在掺锗二氧化硅光纤体系中引入的三种结构,研究了Ce3+离子与光纤体系中不同元环结构的相互作用。通过与已有实验对比,发现Ce3+离子与二氧化锗基质的相互作用导致发射峰的移动。本论文的主要创新点包括:（1）掺锗二氧化硅光纤材料缺陷相互作用机制研究:设计了二氧化硅光纤材料锗掺杂和杂质粒子掺杂光纤材料模型,发现了锗的掺杂量影响了其在二氧化硅体系中的分布特征,揭示了杂质粒子Al和Ge-ODC缺陷之间的反应机制,明确了杂质粒子F对Ge-ODC缺陷的钝化机制,发现了掺锗二氧化硅光纤光学性质变化机理,为制备高性能掺锗二氧化硅光纤器件提供了理论依据。（2）掺锗二氧化硅三价铈离子的发光机制研究:设计了掺铈-锗二氧化硅光纤材料模型,发现了 Ce3+离子在掺锗二氧化硅光纤中的结构特征,揭示了 Ce3+离子与光纤元环结构的相互作用,明确了掺铈光纤的发光机理和带隙变化机理,为制备掺锗二氧化硅光纤发光材料提供了理论指导。
谢柳[8]（2021）在《基于界面效应调控的新型二维光电器件研究》文中进行了进一步梳理自2004年石墨烯发现以来,二维材料在电子、光电子、谷电子、自旋电子和催化等应用领域表现出巨大潜力,引起了科学和工程领域的广泛关注。其中,该类材料（如石墨烯,过渡金属硫族化合物,黑磷（BP）等）以其层状依赖能带结构及独特的电子、光电子特性,在高速、宽波段光探测等方面带来了很多突破性进展。然而,在光探测器应用中,单一二维材料普遍存在灵敏度低、响应度低等问题,且难以满足片上多功能集成的需求,这对开发基于二维材料的高性能、高集成度光电器件提出了挑战。尽管如此,二维材料其表面无悬挂键和原子层厚度的特点使该类材料的集成和电子性质调控变得更加容易,并且其可以通过范德华力与任意衬底结合,无需晶格匹配,表现出更多组合自由度,从而为实现高性能、多功能的电子和光电子器件奠定了基础。基于此,本论文首先探索一些新型二维光电材料（包括新型窄带隙二维半导体Cr2S3、PdSe2）并对其物性进行了深入研究;在此基础上,构筑了界面电荷诱导的光电器件（Cr2Ge2Te6/SiO2、BP/锆钛酸铅（PZT））和界面能带调控的光电器件（BiCuOSe/WSe2）,在不同界面诱导机制下,超越了各单一材料的光电性能与功能。进而,我们实现了光探测光谱覆盖的拓展,灵敏度、探测度的大幅提升,并获得了基于新原理的多功能集成光电存储器和隧穿光电探测器。主要研究内容如下:1.利用新型窄带隙半导体的能带和物性优势,拓展光探测频谱范围。a)针对依赖传统窄带隙半导体的红外探测器所面临的制备复杂、昂贵且集成度低的问题,本文通过低成本且简易的化学气相沉积方法实现了二维窄带隙（-0.15 eV）半导体Cr2S3可控制备,获得了具有单胞厚度（-1.85 nm）的Cr2S3纳米片。生长的Cr2S3表现出优异的环境稳定性,即使暴露在空气中超过两个月,其降解也可以忽略。基于二维Cr2S3的光电探测器展现出高响应度（在520 nm可达14.4AW-1,在808 nm可达6AW-1在1550nm可达3AW-1）和高探测度（在520 nm 可达 4.0 × 1010 Jones,在 808 nm 可达 1.7 × 1010 Jones,在 1550 nm 可达8.3 × 109 Jones）。b)二维PdSe2随层数变化可以实现半导体到金属特性的转变,具有高的热电系数和载流子迁移率,是极具潜力的光探测材料。本文利用其优异特性,构筑了金属-半导体-金属结构的探测器。基于电磁波诱导势阱效应,PdSe2太赫兹器件在366.12 GHz处响应度高达1.7 V W-1,太赫兹响应带宽f3dB=～2.9 kHz,在很大程度上拓展了其探测波长范围。2.利用界面电荷诱导效应,设计器件实现单一材料光探测性能的大幅提升和多功能集成。a)构筑了 Cr2Ge2Te6/SiO2器件,在硅基界面电荷诱导作用下,二维Cr2Ge2Te6半导体表现出一种罕见的负光电导（NPC）特性,且该电导可以通过控制入射光强来调节。更重要的是,NPC特性使Cr2Ge2Te6光电探测器具有超灵敏的光响应,能实现对入射功率强度低至0.04 pW微弱光的探测,其响应度高达340 A W-1。b)构筑了二维半导体BP/铁电材料PZT铁电场效应晶体管。该晶体管在BP/PZT界面电荷诱导作用下,表现出可控的正、负光电导特性,使得实现了一种具有“电写-光读”工作模式的非易失性光电存储器。BP/PZT器件具有可靠的数据保存（超过3.6 × 103 s）和疲劳（超过500次循环）性能,同时具有极低的能耗（驱动电压<10 mV）。3.通过界面能带工程调控,实现多功能隧穿光电探测器件。BiCuOSe作为一种新型的具有自掺杂效应的二维材料,表现为本征p型重掺杂以及化学性质稳定的窄带隙半导体,因而具备成为隧穿器件p型沟道材料的潜力。本文采用低压化学气相沉积方法,通过控制生长条件抑制相分离,制得了厚度10 nm左右、尺寸80μm以上的二维四元化合物BiCuOSe薄膜。该材料的输运特性和能带结构研究表明,其载流子浓度高达1020 cm-3,带隙为～0.45 eV,功函数为～5.1-5.2 eV。并通过人工定向干法转移构筑BiCuOSe/WSe2异质结,该器件具有超过105的高整流比和高于104的开关比。利用界面能带调控,实现了 84 mV dec-1的低压阈值摆幅隧穿晶体管以及响应度为-1 AW-1的优异光伏探测性能。
周子皓[9]（2021）在《大面积二维过渡金属硫化物MS2（M=Mo,W,Pt）的制备及光电性能研究》文中指出二维过渡金属硫化物材料（MS2）是一类具有单/多原子厚度的片层状材料,其优异的物理、化学、光学、电子、机械等性能,引起了科学领域的广泛关注。MoS2和WS2作为较早发现的二维材料,它们在光电应用上有着比石墨烯更强的研究潜力,而Pt S2的相关研究较少,在光电领域也显示其巨大的潜力。但是这些二维材料由于受到目前的制备方法及技术的限制,其生产效率低下,质量水平波动较大,成本比较高昂,难以实现其在所有领域的全面应用。在此背景下,我们以金属氧化物源和金属源作为前驱体,采用化学气相沉积法,成功制备出了尺寸超过100μm大面积高质量连续MS2薄膜,并测试了薄膜的光学和电学性能。研究主要取得如下结果:（1）采用MoO3粉末源制备大面积MoS2,系统研究了钼源加热温度、硫源加热温度、衬底和钼源距离、钼源质量、生长时间、氩气流速、卤化盐溶液浓度对CVD法制备MoS2薄膜的影响。随后我们用实验制备得到的大面积MoS2薄膜经过表面处理、光刻显影、镀膜、热退火等工艺步骤得到了底栅-顶接触型MoS2薄膜晶体管（MoS2-TFT）,并测试了电学性能,得到了MoS2-TFT器件的载流子迁移率为0.032 cm2·V-1·S-1,开关比为4×104,表现出了很强的栅压可调性。（2）采用WO3粉末源制备大面积WS2,系统研究了气源种类、钨源加热温度、生长时间对CVD法制备WS2薄膜的影响。得出了最佳实验条件分别为:Ar/H2（5%H2）混合气、850℃、15 min。随后我们测试了WS2薄膜在低温下的光致发光性能,其光致发光图谱变化非常明显,温度越高,峰强越弱,峰位红移越大。进一步加热后,低温下的发光强度明显高于未加热时的发光强度,展示了WS2在高k栅介质Sr TiO3上的优异光学性能,并分析低温对高k栅介质Sr TiO3上WS2光致发光的影响机制。（3）采用金属Mo源直接硫化法制备大面积连续MoS2薄膜,系统研究了有无O2热处理、Mo源加热温度对CVD法制备MoS2薄膜的影响。有O2热处理表面的MoS2薄膜更连续,能有效减少不规则的形貌的出现。钼金属薄膜直接硫化的最佳钼源加热温度为650℃。（4）我们在Si/SiO2衬底上预沉积不同厚度的金属铂膜,并采用直接硫化的方式成功制备出了大面积连续Pt S2薄膜,并用光学显微镜、拉曼光谱、扫描电子显微镜、原子力显微镜等表征手段对其进行了表征。随后制备Pt S2薄膜晶体管,并测试不同厚度Pt S2薄膜晶体管的电学性能。（5）采用金属Mo源为前驱体,通过限域空间法可以成功制备出大面积连续单层MoS2薄膜。其最佳实验条件为:叠放辅助衬底片数为三片（1.56 cm）、钼源加热温度为750℃、压力为7.5×104Pa、S温区的温度为260℃、气体流量80 sccm。我们用限域空间法生长得到的MoS2薄膜经过表面处理、光刻显影、镀膜、热退火等工艺步骤得到了底栅-顶接触型MoS2薄膜晶体管（MoS2-TFT）,并测试了电学性能,得到了MoS2-TFT器件的载流子迁移率为0.043 cm2·V-1·S-1,开关比为105,均高于粉末源MoS2薄膜,表现出了更强的栅压可调性。
孙兴丹[10]（2021）在《基于低维材料的器件构筑与电输运性能研究》文中进行了进一步梳理低维材料相比于三维块体,通常具有独特且优异的性能,尤其是石墨烯的发现,吸引了大量科研人员加入到该领域。本文着眼于新材料、新构型、新现象三个研究方向,扩充二维范德华层状材料体系,提高器件栅极调控力等性能,发掘二维电子气更多的有趣的物理现象。二维范德华（vdWs）层状磁性材料具有丰富的应用前景,但是这些美好前景要想真正走上应用,第一步就是实现室温磁性。本文的研究体系是1T-CrTe2,通过六方氮化硼包覆或者Pt薄膜覆盖的方式,以及冷加工工艺制备器件,以保持材料本征特性。磁光以及电输运测量表明,该材料的室温铁磁性至少可以一直保持至8nm。同时,CrTe2具有面内各向异性,且室温下表现出非常规的负各向异性磁电阻,在较低温度下会发生符号转变,这一现象与其他巡游类vdWs二维铁磁体相反。结合理论分析,该现象归因于CrTe2的类似半金属的自旋极化能带结构。按照传统的工艺技术10 nm的沟道长度已经是极限,鳍形场效应晶体管（FinFET）的提出,暂时缓解了困境。本文提出了一个新的构想,基于一种较为通用的自下而上的台阶模板法,首次制备了仅有0.6 nm鳍宽的单原子层FinFET。此外,还制备出了以其他过渡金属族二硫化物、碳纳米管作为沟道材料,金属薄膜或碳纳米管薄膜为栅极的多种构型的FinFET。构建的器件具有双极电输运特性,开关比高达107,亚阈值摆幅最小为300 mV/dec,这些性能已在上百个器件中得到验证。COMSOL仿真模拟表明,该架构器件在克服短沟道效应上更具优势,但其实际性能还有较大的提升潜力。原则上,单原子层FinFET阵列可以成为未来集成电路的构建基础单元。Hofstadter’s butterfly是研究布洛赫电子在磁场中运动获得的递归图案,蕴含新奇的物理现象。构建人工超晶格可观察到此类现象,且周期为数十纳米量级的超晶格最为合适。本文以石墨烯和六方氮化硼为研究体系,利用两者相似的晶格结构和较小的晶格失配度,通过机械剥离和干法转印技术,成功构建了一系列双栅调控的双moire超晶格器件,且观测到了 Hofstadter’s butterfly递归图案。超晶格能带结构对层间旋转角度极为敏感,较小的差异在电输运测试结果上差别明显。在典型的双对齐单层石墨烯样品中,发现-5n0至-7n0的整数填充处具有关联绝缘态。
二、软X射线辐照引入于SiO_2中的中性陷阱（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、软X射线辐照引入于SiO_2中的中性陷阱（论文提纲范文）
（1）高功率密度激发荧光材料的反常热猝灭效应（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 反常热猝灭效应机理相关研究 |
| 2.1 荧光材料组分设计 |
| 2.1.1 缺陷能级到发光中心激发能级的能量转移 |
| (1)离子非等价取代引入缺陷作为电子陷阱 |
| (2)阳离子无序化增加陷阱的深度和数量 |
| (3)特定温度下的结构相变形成空位等缺陷 |
| 2.1.2 提升晶格结构刚性来抑制无辐射跃迁过程 |
| (1)石榴石型 |
| (2) β-K2SO4型 |
| (3)UCr4C4型 |
| 2.1.3 敏化离子向激活离子或激活离子不同格位间的能量传递 |
| 2.1.4 晶格负热膨胀效应(NTE)提升能量传递效率 |
| 2.1.5 热扰动导致能量从激活离子转移至电荷转移态(CTS) |
| 2.2 荧光材料复合结构与复相设计 |
| 2.2.1 荧光粉体包覆 |
| 2.2.2 荧光陶瓷复相设计 |
| 3 反常热猝灭效应在典型荧光材料体系中的应用 |
| 3.1 铝酸盐荧光材料 |
| 3.2 硅(锗)酸盐荧光材料 |
| 3.3 氮(氧)化物荧光材料 |
| 3.4 氟化物荧光材料 |
| 3.5 钨(钼)酸盐荧光材料 |
| 3.6 钒酸盐荧光材料 |
| 4 存在的问题 |
| (1)理论认识不足： |
| (2)表征手段匮乏： |
| (3)理论计算欠缺： |
| (4)设计策略模糊： |
| 5 展 望 |
（2）壳层TiO2界面电子的调控及光催化还原U（Ⅵ）性能与机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 放射性含铀废水的来源及危害 |
| 1.2 TiO_2基纳米材料光催化还原U(Ⅵ)简介 |
| 1.2.1 TiO_2基纳米材料光催化还原U(Ⅵ)的机理 |
| 1.2.2 TiO_2基纳米材料光催化还原U(Ⅵ)研究进展 |
| 1.2.3 TiO_2基纳米材料光催化还原U(Ⅳ)影响因素 |
| 1.3 TiO_2基核壳型光催化剂的研究进展 |
| 1.3.1 增强光生电荷的产生 |
| 1.3.2 促进电荷分离和迁移 |
| 1.3.3 促进表面反应 |
| 1.4 本论文的研究思路 |
| 1.4.1 本论文选题依据 |
| 1.4.2 研究内容 |
| 1.4.3 技术路线 |
| 第2章 实验材料及表征方法 |
| 2.1 实验仪器与试剂 |
| 2.1.1 实验仪器 |
| 2.1.2 实验试剂 |
| 2.2 光催化剂表征方法 |
| 2.3 光催化实验 |
| 2.3.1 光催化还原装置 |
| 2.3.2 光催化还原U(Ⅵ)性能的测试方法 |
| 第3章 空心TiO_2/RGO三维气凝胶的制备及可见光光催化U(Ⅵ)的性能和作用机理研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 H-TiO_2的制备 |
| 3.2.2 3D凝胶(3D RGO@TiO_2)的制备 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 结构与物性表征 |
| 3.3.2 光吸收性能及能级分析 |
| 3.3.3 3D RGO@TiO_2光催化还原U(Ⅵ)性能研究 |
| 3.3.4 3D RGO@TiO_2-3光催化还原U(Ⅵ)的机理 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 Z型TiO_2@Cd S双壳层异质结的制备及光催化还原U(Ⅵ)性能和作用机理研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 TiO_2@CdS双壳层异质结的制备 |
| 4.2.2 CdS@TiO_2双壳层异质结的制备 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 结构与物性表征 |
| 4.3.2 光吸收性能及能级结构 |
| 4.3.3 TiO_2@CdS光催化还原U(Ⅵ)性能研究 |
| 4.3.4 TiO_2@CdS-2光催化还原U(Ⅵ)机理分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 表面等离子体共振增强Z型TiO_2@Cd S@Au光催化还原U(Ⅵ)性能及作用机理研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 TiO_2@CdS@Au双壳层结构异质结的制备 |
| 5.2.2 TiO_2@CdS@Pt双壳层结构异质结的制备 |
| 5.2.3 TiO_2@CdS@DOQDs双壳层结构异质结的制备 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 结构与物性表征 |
| 5.3.2 光吸收性能分析 |
| 5.3.3 TiO_2@CdS@Au光催化还原U(Ⅵ)性能分析 |
| 5.3.4 TiO_2@CdS@Au-2光催化还原U(Ⅵ)的机理分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 MnO_x@TiO_2@Cd S@Au多壳层异质结的制备及光催化还原U(Ⅵ)性能及作用机理研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.2.1 MnO_x@SiO_2球的制备 |
| 6.2.2 MnO_x@SiO_2@TiO_2异质结的制备 |
| 6.2.3 MnO_x@TiO_2@CdS多壳层异质结的制备 |
| 6.2.4 MnO_x@TiO_2@CdS@Au多壳层异质结的制备 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 结构与物性表征 |
| 6.3.2 光吸收性能分析 |
| 6.3.3 MnO_x@TiO_2@CdS@Au光催化还原U(Ⅵ)性能研究 |
| 6.3.4 MnO_x@TiO_2@CdS@Au光催化还原U(Ⅵ)作用机理研究 |
| 6.4 MnO_x@TiO_2@Cd S@Au光催化剂的实际应用 |
| 6.5 本章小结 |
| 第7章 Co_3O_4@TiO_2@CdS@Au多面体异质结的制备及光催化还原U(Ⅵ)性能和作用机理研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 实验部分 |
| 7.2.1 Co_3O_4@TiO_2@CdS多面体异质结的制备 |
| 7.2.2 Co_3O_4@TiO_2@CdS@Au多面体异质结的制备 |
| 7.3 结果与讨论 |
| 7.3.1 结构与物性表征 |
| 7.3.2 光吸收性能分析 |
| 7.3.3 Co_3O_4@TiO_2@CdS@Au光催化还原U(Ⅵ)性能 |
| 7.3.4 Co_3O_4@TiO_2@CdS@Au光催化还原U(Ⅵ)机理研究 |
| 7.3.5 光催化剂的综合评价 |
| 7.4 本章小结 |
| 结论 |
| 创新点 |
| 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士期间论文成果 |
| 致谢 |
（3）离子液体辅助制备Cu-In-Zn-S和CsPbX3纳米晶及其荧光性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 半导体纳米晶的概述 |
| 1.1.1 半导体纳米晶的定义与基本性质 |
| 1.1.2 半导体纳米晶的发展历程 |
| 1.1.3 半导体纳米晶的分类及光学特点 |
| 1.2 I-III-VI族多元半导体纳米晶 |
| 1.2.1 I-III-VI族半导体纳米晶的基本性质 |
| 1.2.2 I-III-VI族纳米晶的制备 |
| 1.2.3 I-III-VI族纳米晶在照明显示领域的应用 |
| 1.3 铅卤钙钛矿纳米晶 |
| 1.3.1 铅卤钙钛矿矿纳米晶的性质 |
| 1.3.2 铅卤钙钛矿矿纳米晶的合成方法 |
| 1.3.3 铅卤钙钛矿矿纳米晶的稳定性改善 |
| 1.3.4 铅卤钙钛矿纳米晶的光电应用 |
| 1.4 离子液体 |
| 1.4.1 离子液体的概述 |
| 1.4.2 离子液体的特性 |
| 1.4.3 离子液体的应用 |
| 1.5 本论文的研究意义及目的 |
| 1.6 本论文的研究内容 |
| 2 实验部分 |
| 2.1 实验主要的化学药品及试剂 |
| 2.2 制备方法 |
| 2.2.1 离子液体辅助水热法制备Cu-In-Zn-S纳米晶 |
| 2.2.2 过饱和重结晶法制备CsPbBr_3钙钛矿纳米晶 |
| 2.2.3 CsPbX_3@SiO_2纳米晶的制备 |
| 2.2.4 白光LED器件的组装 |
| 2.3 测试与表征 |
| 2.3.1 X射线衍射分析 |
| 2.3.2 透射电子显微镜 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱 |
| 2.3.4 傅里叶转换红外光谱仪 |
| 2.3.5 光致发光光谱 |
| 2.3.6 紫外-可见分光光度计 |
| 2.3.7 紫外光电子能谱 |
| 2.3.8 时间分辨荧光光谱 |
| 2.3.9 荧光量子产率 |
| 2.3.10 变温荧光光谱 |
| 2.3.11 电致发光光谱 |
| 3 离子液体辅助水热法制备Cu-In-Zn-S纳米晶及其荧光性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 制备过程 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 反应温度对CIZS纳米晶的影响 |
| 3.3.2 反应时间对CIZS纳米晶的影响 |
| 3.3.3 离子液体[Mim]BF_4添加量对CIZS纳米晶的影响 |
| 3.3.4 [Mim]BF_4与CIZS纳米晶的作用机理探究 |
| 3.3.5 氟源种类对CIZS纳米晶的影响 |
| 3.3.6 金属离子比例对CIZS纳米晶的影响 |
| 3.3.7 CIZS/ZnS核/壳结构纳米晶的荧光性能研究 |
| 3.3.8 CIZS/ZnS/PVP复合荧光粉的荧光性能研究 |
| 3.3.9 CIZS/ZnS/PVP复合荧光粉在白光LED中的应用研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 离子液体辅助过饱和重结晶法制备CsPbBr_3纳米晶及其荧光性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 制备过程 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 Pb/Cs比对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 4.3.2 离子液体[Bmim]Br添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 4.3.3 CsPbBr_3纳米晶的稳定性研究 |
| 4.3.4 离子液体[Bmim]Br对CsPbBr_3纳米晶的表面钝化机理研究 |
| 4.3.5 阳离子浓度对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 4.3.6 配体添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 4.3.7 阴离子组分对CsPbX_3纳米晶的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 含氟酸根离子液体原位钝化CsPbBr_3纳米晶表面缺陷及其机理研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 制备过程 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 [Bmim]BF_4添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.2 [Bmim]BF_4原位钝化CsPbBr_3纳米晶的机理研究 |
| 5.3.3 离子液体的阳离子链长及添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.4 氟源类型对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.5 前驱体与反溶剂体积比对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.6 OA添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.7 OAm添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.8 CsPbBr_3纳米晶的稳定性研究 |
| 5.3.9 CsPbBr_3纳米晶在白光LED中的应用 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 离子液体辅助制备CsPbX_3@SiO_2纳米晶及其荧光性能研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 制备过程 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 APTES添加量对CsPbBr_3@SiO_2纳米晶的影响 |
| 6.3.2 反应时间对CsPbBr_3@SiO_2纳米晶的影响 |
| 6.3.3 APTES引入方式对CsPbBr_3@SiO_2纳米晶的影响 |
| 6.3.4 APTES与CsPbBr_3@SiO_2纳米晶作用机理研究 |
| 6.3.5 离子液体对CsPbBr_3@SiO_2纳米晶的影响 |
| 6.3.6 CsPbBr_3@SiO_2纳米晶的稳定性研究 |
| 6.3.7 CsPbX_3@SiO_2纳米晶的荧光性能研究 |
| 6.3.8 CsPbBr_3@SiO_2纳米晶在白光LED中的应用 |
| 6.4 本章小结 |
| 7 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间的学术成果 |
（4）二维MoS2光电性能调控及器件基础研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 2 绪论 |
| 2.1 二维纳米材料概述 |
| 2.2 二维MoS_2纳米材料简介 |
| 2.2.1 二维MoS_2的制备方法 |
| 2.2.2 二维MoS_2的基本结构 |
| 2.2.3 二维MoS_2的基本性能 |
| 2.3 二维MoS_2场效应晶体管研究现状 |
| 2.3.1 栅介电层调控二维MoS_2的电输运特性 |
| 2.3.2 金属与半导体接触调控二维MoS2的电输运特性 |
| 2.3.3 缺陷调控二维MoS_2的电输运特性 |
| 2.4 二维MoS_2光电子晶体管研究现状 |
| 2.4.1 二维MoS_2基光电导型光电子器件 |
| 2.4.2 基于二维MoS_2的异质结型光电子器件 |
| 2.4.3 掺杂在二维MoS_2光电子器件中的应用研究 |
| 2.4.4 量子点在二维MoS_2光电子器件中的应用研究 |
| 2.5 本文的研究目的与内容 |
| 3 单层MoS_2的制备及结构性能表征 |
| 3.1 实验材料及方法 |
| 3.2 二维MoS_2纳米材料分析及器件构筑方法 |
| 3.2.1 二维MoS_2纳米材料表征分析手段 |
| 3.2.2 二维MoS_2器件构筑方法 |
| 3.3 CVD法制备单层MoS_2三角形纳米片及其结构表征 |
| 3.3.1 反应温度及保温时间对MoS_2形貌的影响 |
| 3.3.2 氧气流量对单层MoS_2纳米片的生长调控 |
| 3.3.3 单层MoS_2纳米片的结构表征 |
| 3.4 CVD法制备单层MoS_2连续薄膜及其结构表征 |
| 3.4.1 二维MoS_2连续薄膜的生长 |
| 3.4.2 单层MoS_2连续薄膜的结构表征 |
| 3.5 单层MoS_2纳米片和连续薄膜的性能表征 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 电子束辐照下单层MoS_2的电子输运行为研究 |
| 4.1 电子束辐照对单层MoS_2材料的影响 |
| 4.1.1 电子束辐照对单层MoS_2硫空位密度的影响 |
| 4.1.2 电子束辐照对单层MoS_2结构的影响 |
| 4.2 电子束辐照对单层MoS_2电输运性能的影响研究 |
| 4.2.1 电子束辐照下单层MoS_2电学性能演变 |
| 4.2.2 电子束辐照下单层MoS_2电荷输运机制研究 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 有机小分子CuPc修饰调控单层MoS_2光电性质研究 |
| 5.1 CuPc分子修饰对单层MoS_2光学性质的影响研究 |
| 5.1.1 CuPc分子的物理化学性质 |
| 5.1.2 CuPc分子修饰对MoS_2紫外-可见吸收光谱的影响 |
| 5.1.3 CuPc分子修饰对MoS_2拉曼光谱的影响 |
| 5.1.4 CuPc分子修饰对MoS_2稳态光致发光谱的影响 |
| 5.2 CuPc分子修饰调控单层MoS_2器件光电性能的研究 |
| 5.2.1 器件的构筑及处理方案 |
| 5.2.2 CHCl_3为CuPc溶剂时调控单层MoS_2光电性能 |
| 5.2.3 H_2SO_4为CuPc溶剂时调控单层MoS_2光电性能 |
| 5.3 CuPc分子修饰调控单层MoS_2光电性能的机理分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 绿色低成本高性能MoS_2/CuInSe_2-QDs光电探测器的研究 |
| 6.1 零维CuInSe_2量子点的制备及表征 |
| 6.1.1 零维CuInSe_2量子点的制备 |
| 6.1.2 零维CuInSe_2量子点的表征 |
| 6.2 绿色低成本高性能MoS_2/CuInSe_2-QDs光电探测器 |
| 6.2.1 MoS_2/CuInSe_2-QDs光电探测器的构筑 |
| 6.2.2 MoS_2/CuInSe_2-QDs异质结的表征 |
| 6.3 MoS_2/CuInSe_2-QDs光电探测器的光电性能研究 |
| 6.4 高性能MoS_2/CuInSe_2-QDs光电探测器的增益机制 |
| 6.5 MoS_2/CuInSe_2-QDs光电探测器的光响应开关特性 |
| 6.6 本章小结 |
| 7 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（5）无铅双钙钛矿Cs2AgInCl6的合成及光学性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 钙钛矿概述 |
| 1.2 铅卤钙钛矿的发展现状 |
| 1.2.1 一种简易合成的纳米晶 |
| 1.2.2 缺陷耐受性 |
| 1.2.3 结构不稳定及解决方案 |
| 1.2.4 铅的毒性以及对无铅钙钛矿的探索 |
| 1.3 无铅卤化物钙钛矿的设计与晶体结构 |
| 1.3.1 ⅣA族元素金属卤化物钙钛矿 |
| 1.3.2 临族元素金属卤化物钙钛矿 |
| 1.3.3 双金属阳离子卤化物钙钛矿 |
| 1.4 无铅双钙钛矿Cs_2AgInCl_6的光学性质 |
| 1.5 无铅双钙钛矿的应用 |
| 1.5.1 光电探测器 |
| 1.5.2 X射线探测器 |
| 1.5.3 光催化剂 |
| 1.5.4 发光二极管 |
| 1.5.5 太阳能电池 |
| 1.6 本论文中所用的表征手段 |
| 1.7 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 无铅双钙钛矿Cs_2AgInCl_6低温双发射机制及SiO_2增强其光致发光和光稳定性的研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验试剂 |
| 2.2.2 前驱体溶液制备 |
| 2.2.3 Cs_2AgInCl_6(3 s,30 min)微晶的合成 |
| 2.2.4 Cs_2AgInCl_6(30 min)/SiO_2微晶的合成 |
| 2.2.5 Cs_2AgInCl_6(3 s)/SiO_2(TEOS:0 mL、0.5 mL、2 mL)微晶的合成 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 形貌及结构分析 |
| 2.3.2 Cs_2AgInCl_6和Cs_2AgInCl_6/SiO_2的化学组成分析 |
| 2.3.3 Cs_2Ag InCl_6和Cs_2AgInCl_6/SiO_2的发光性能分析及应用展示 |
| 2.3.4 Cs_2Ag InCl_6和Cs_2AgInCl_6/SiO_2与温度相关的双发射机制分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 无铅双钙钛矿Cs_2K_xAg_(0.6)Na_(0.4)In_(0.8)Bi_(0.2)Cl_6Br_x蓝光激发下的窄谱发射 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验试剂 |
| 3.2.2 Cs_2Ag_(0.6)Na_(0.4)In_(0.8)Bi_(0.2)Cl_6微晶的合成 |
| 3.2.3 Cs_2K_xAg_(0.6)Na_(0.4)In_(0.8)Bi_(0.2)Cl_6Br_x微晶的合成 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 Cs_2K_xAg_(0.6)Na_(0.4)In_(0.8)Bi_(0.2)Cl_6Br_x的形貌、结构及成分分析 |
| 3.3.2 Cs_2K_xAg_(0.6)Na_(0.4)In_(0.8)Bi_(0.2)Cl_6Br_x的发光性能分析以及应用展示 |
| 3.3.3 低温环境时Cs_2KAg_(0.6)Na_(0.4)In_(0.8)Bi_(0.2)Cl_6Br蓝光激发下的窄谱发射 |
| 3.3.4 Cs_2K_xAg_(0.6)Na_(0.4)In_(0.8)Bi_(0.2)Cl_6Br_x与温度相关的发光机制分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 无铅双钙钛矿Cs_2K_xAg_(0.6)Na_(0.4)In_(0.8)Bi_(0.2)Cl_6Br_x和Cs_2K_xAg_(0.6)Na_(0.4)In_(0.8)Bi_(0.2)Cl_6I_x蓝光激发下的可调谐纯色发光 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验试剂 |
| 4.2.2 Cs_2Ag_(0.6)Na_(0.4)In_(0.8)Bi_(0.2)Cl_6微晶的合成 |
| 4.2.3 Cs_2K_xAg_(0.6)Na_(0.4)In_(0.8)Bi_(0.2)Cl_6Br_x微晶的固相法合成 |
| 4.2.4 Cs_2K_xAg_(0.6)Na_(0.4)In_(0.8)Bi_(0.2)Cl_6I_x微晶的固相法合成 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 形貌、结构以及成分分析 |
| 4.3.2 发光性能分析及器件应用展示 |
| 4.3.3 压力条件对材料发光性能影响的分析 |
| 4.3.4 KBr和KI对材料发光机制的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 全文总结及展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 在学期间取得的科研成果和科研情况说明 |
| 致谢 |
（6）含PtSn合金纳米颗粒的中空介孔二氧化硅纳米反应器的制备及其在糠醛加氢中的应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 中空纳米结构 |
| 1.2 中空纳米结构的合成方法 |
| 1.2.1 湿化学合成方法 |
| 1.2.2 喷雾合成方法 |
| 1.3 糠醛氢化 |
| 1.3.1 Pt基催化剂 |
| 1.3.2 Pd基催化剂 |
| 1.3.3 Ru基催化剂 |
| 1.3.4 Au基催化剂 |
| 1.3.5 Ir基催化剂 |
| 1.3.6 非贵金属催化剂 |
| 1.4 论文选题和研究内容 |
| 第2章 实验部分 |
| 2.1 实验所需药品 |
| 2.2 实验所需仪器 |
| 2.3 材料表征 |
| 2.3.1 表征所用仪器 |
| 2.3.2 透射电子显微镜(TEM) |
| 2.3.3 高角度环形暗场-扫描透射电镜(HAADF-STEM) |
| 2.3.4 X射线衍射仪(XRD) |
| 2.3.5 BET比表面积仪(Brunauer-Emmett-Teller) |
| 2.3.6 电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES) |
| 2.3.7 傅里叶变换红外光谱仪(FT-R) |
| 2.3.8 热重/差热分析仪(TG/DTA) |
| 2.3.9 X射线光电子能谱(XPS) |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 Pt_xSn_y@HMSNs的可控合成及其表征 |
| 3.1 合成原理 |
| 3.2 Pt_xSn_y@HMSNs反应器的合成 |
| 3.3 Pt_1Sn_(0.3)/SiO_2负载型催化剂的制备 |
| 3.4 Pt_xSn_y@HMSNs反应器的表征 |
| 3.4.1 TEM表征 |
| 3.4.2 HAADF-STEM表征 |
| 3.4.3 XRD与EDS表征 |
| 3.4.4 TG/DTA与FT-IR表征 |
| 3.4.5 BET表征 |
| 3.4.6 XPS表征 |
| 3.4.7 回收催化剂表征 |
| 3.5 Pt_1Sn_(0.3)/SiO_2表征 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 Pt_xSn_y@HMSNs在糠醛加氢制糠醇中的应用 |
| 4.1 糠醛加氢制糠醇实验操作 |
| 4.2 糠醛加氢制糠醇实验结果与讨论 |
| 4.2.1 Pt_xSn_y@HMSNs的Sn/Pt比对糠醛加氢制糠醇的催化影响 |
| 4.2.2 焙烧温度对Pt_1Sn_(0.3)@HMSNs糠醛加氢制糠醇的催化影响 |
| 4.2.3 还原温度对Pt_1Sn_(0.3)@HMSNs糠醛加氢制糠醇的催化影响 |
| 4.2.4 溶剂对Pt_1Sn_(0.3)@HMSNs糠醛加氢制糠醇的催化影响 |
| 4.2.5 反应温度和氢气压力对Pt_1Sn_(0.3)@HMSNs糠醛加氢制糠醇的催化影响 |
| 4.2.6 Pt_1Sn_(0.3)@HMSNs糠醛加氢制糠醇的稳定性研究 |
| 4.2.7 与其他Pt基催化剂在糠醛加氢中的催化活性对比 |
| 4.3 Pt_1Sn_(0.3)@HMSNs和Pt@HMSNs对α,β-不饱和醛酮的加氢研究 |
| 4.4 Pt_1Sn_(0.3)/SiO_2催化糠醛加氢的研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 含有其他双金属的中空介孔二氧化硅纳米反应器的合成与应用的探索 |
| 5.1 Pd_1Pt_1@HMSNs、Pd_1Au_1@HMSNs和Pt_1Au_1@HMSNs反应器的合成 |
| 5.2 Pd_1Pt_1@HMSNs纳米反应器的表征 |
| 5.3 Pd_1Au_1@HMSNs纳米反应器的表征 |
| 5.4 Pt_1Au_1@HMSNs纳米反应器的表征 |
| 5.5 含不同金属的中空纳米反应器对糠醛加氢的影响 |
| 5.6 本章小结 |
| 第6章 总结 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 创新点 |
| 6.3 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 硕士期间研究成果 |
（7）掺锗二氧化硅光纤的物性调控研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 掺锗二氧化硅光纤研究概述 |
| 1.1.1 掺锗二氧化硅光纤材料简介 |
| 1.1.2 掺锗二氧化硅光纤实验研究进展 |
| 1.1.3 掺锗二氧化硅光纤计算研究进展 |
| 1.2 掺锗二氧化硅光纤缺陷研究进展 |
| 1.2.1 掺锗二氧化硅光纤的缺陷概述 |
| 1.2.2 氧空位缺陷研究进展 |
| 1.2.3 杂质粒子缺陷研究进展 |
| 1.3 掺锗二氧化硅光纤物性研究进展 |
| 1.4 研究进展小结及本论文概述 |
| 1.5 本论文的结构安排 |
| 参考文献 |
| 第二章 理论基础和计算方法 |
| 2.1 密度泛函理论 |
| 2.1.1 薛定谔方程 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 |
| 2.2 常见交换关联泛函近似 |
| 2.2.1 局域密度近似(LDA) |
| 2.2.2 广义梯度近似(GGA) |
| 2.2.3 杂化密度泛函 |
| 2.3 多体微扰理论 |
| 2.3.1 准粒子方程与GW近似 |
| 2.3.2 随机相位近似(RPA) |
| 2.3.3 Bethe-Salpeter方程(BSE) |
| 2.4 过渡态搜索 |
| 2.5 含时密度泛函理论TDDFT |
| 参考文献 |
| 第三章 掺锗二氧化硅光纤结构优化研究 |
| 3.1 研究背景及研究方法 |
| 3.2 掺锗二氧化硅光纤的结构优化研究 |
| 3.2.1 掺锗二氧化硅光纤结构几何性质及稳定性 |
| 3.2.2 掺锗二氧化硅光纤缺陷几何性质及稳定性 |
| 3.3 掺锗二氧化硅光纤氧空位缺陷研究 |
| 3.3.1 锗氧空位缺陷几何结构及稳定性 |
| 3.3.2 环状结构中锗氧空位缺陷几何性质 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 掺锗二氧化硅光纤杂质粒子缺陷研究 |
| 4.1 研究背景及研究方法 |
| 4.2 锗掺杂缺陷结构性质研究 |
| 4.2.1 锗掺杂缺陷结构几何性质 |
| 4.2.2 锗掺杂缺陷结构电子结构性质 |
| 4.2.3 锗掺杂缺陷结构光学性质分析 |
| 4.3 铝掺杂二氧化锗缺陷结构研究 |
| 4.3.1 铝掺杂二氧化锗缺陷几何性质及稳定性 |
| 4.3.2 铝掺杂二氧化锗缺陷光学和电子性质 |
| 4.3.3 铝掺杂二氧化锗缺陷折射率性质分析 |
| 4.4 氟掺杂二氧化锗缺陷结构研究 |
| 4.4.1 氟掺杂二氧化锗缺陷几何性质 |
| 4.4.2 氟钝化氧空位缺陷转化机制及稳定性 |
| 4.4.3 氟掺杂二氧化锗缺陷折射率及光学性质 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 掺铈-锗二氧化硅光纤的物性研究 |
| 5.1 研究背景及研究方法 |
| 5.2 掺铈-锗二氧化硅光纤几何结构及稳定性 |
| 5.3 掺铈-锗二氧化硅光纤前线分子轨道分析 |
| 5.4 掺铈-锗二氧化硅光纤吸收和发光特性分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 论文总结与展望 |
| 6.1 论文总结 |
| 6.2 未来工作展望 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 |
（8）基于界面效应调控的新型二维光电器件研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 二维材料的特性与应用 |
| 1.2.1 二维材料的独特结构及性质 |
| 1.2.2 基于二维材料的多功能应用 |
| 1.3 光电探测器概论 |
| 1.3.1 光电探测器分类 |
| 1.3.2 光电探测机理 |
| 1.3.3 光电探测性能重要参数 |
| 1.4 二维光电探测器面临的挑战 |
| 1.5 论文研究的意义和主要内容 |
| 参考文献 |
| 第2章 二维材料及器件的制备与表征 |
| 2.1 二维材料的制备方法 |
| 2.1.1 微机械剥离法 |
| 2.1.2 液相剥离法 |
| 2.1.3 化学气相沉积法 |
| 2.2 二维异质结的制备方法 |
| 2.3 二维材料的表征手段 |
| 2.4 二维器件的制备及表征 |
| 2.4.1 紫外光刻技术 |
| 2.4.2 电子束蒸发镀膜技术 |
| 2.4.3 电子束光刻技术 |
| 2.4.4 半导体测试系统 |
| 参考文献 |
| 第3章 新型窄带隙二维半导体宽光谱探测器 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 基于Cr_2S_3纳米片的可见-红外光电探测器 |
| 3.2.1 Cr_2S_3纳米片的研究进展 |
| 3.2.2 Cr_2S_3纳米片的可控生长和转移 |
| 3.2.3 Cr_2S_3纳米片的表征及计算分析 |
| 3.2.4 器件制备与测试相关设备 |
| 3.2.5 Cr_2S_3纳米片的光电性能 |
| 3.2.6 小结 |
| 3.3 基于PdSe_2纳米片的太赫兹探测器 |
| 3.3.1 PdSe_2纳米片的研究进展 |
| 3.3.2 PdSe_2单晶的可控生长与表征 |
| 3.3.3 PdSe_2纳米片的制备及表征 |
| 3.3.4 PdSe_2太赫兹探测器的制备 |
| 3.3.5 PdSe_2太赫兹性能测试 |
| 3.3.6 小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 界面电荷诱导的光电器件 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 超灵敏Cr_2Ge_2Te_6光电探测器 |
| 4.2.1 Cr_2Ge_2Te_6纳米片的研究进展 |
| 4.2.2 材料表征相关设备 |
| 4.2.3 Cr_2Ge_2Te_6单晶的可控生长与表征 |
| 4.2.4 器件制备与测试相关设备 |
| 4.2.5 Cr_2Ge_2Te_6纳米片的光电性能 |
| 4.2.6 小结 |
| 4.3 BP/PZT非易失性光电存储器 |
| 4.3.1 非易失性存储器的研究进展 |
| 4.3.2 铁电薄膜锆钛酸铅的制备 |
| 4.3.3 锆钛酸铅及黑磷的性能表征 |
| 4.3.4 BP/PZT晶体管的制备与表征 |
| 4.3.5 BP/PZT晶体管的极化依赖光电及调控机理 |
| 4.3.6 BP/PZT晶体管的光电存储性能 |
| 4.3.7 小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 界面能带工程调控的BiCuOSe/WSe_2隧穿光电探测器 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 BiCuOSe纳米片的合成 |
| 5.3 材料表征相关设备 |
| 5.4 器件表征及相关设备 |
| 5.5 BiCuOSe纳米片的性能表征 |
| 5.6 BiCuOSe/WSe_2异质结的构筑及表征 |
| 5.7 BiCuOSe/WSe_2异质结的电学性能表征 |
| 5.8 BiCuOSe/WSe_2异质结的光学性能表征 |
| 5.9 小结 |
| 参考文献 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（9）大面积二维过渡金属硫化物MS2（M=Mo,W,Pt）的制备及光电性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 二维过渡金属硫属化合物(TMDS)的兴起与发展 |
| 1.2 二维过渡金属硫属化合物MX_2的基本性质 |
| 1.2.1 二维过渡金属硫属化合物MX_2的晶体结构与电子结构 |
| 1.2.2 二维过渡金属硫化物MX_2的基本性质 |
| 1.3 二维过渡金属硫属化合物MX_2的应用 |
| 1.3.1 场效应晶体管 |
| 1.3.2 传感器 |
| 1.3.3 锂离子电池 |
| 1.3.4 光探测器 |
| 1.4 二维过渡金属硫化物MS_2的制备方法 |
| 1.4.1 物理剥离法 |
| 1.4.2 化学剥离法 |
| 1.4.3 超声剥离法 |
| 1.4.4 分子束外延法 |
| 1.4.5 化学气相沉积法 |
| 1.5 本课题的选题依据与研究意义 |
| 1.6 本课题的研究内容 |
| 第2章 实验方法 |
| 2.1 实验材料 |
| 2.2 样品制备设备 |
| 2.2.1 磁控溅射设备 |
| 2.2.2 聚焦离子束系统 |
| 2.2.3 化学气相沉积设备 |
| 2.3 二维材料表征和分析 |
| 2.3.1 光学显微镜 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 |
| 2.3.3 原子力显微镜 |
| 2.3.4 拉曼光谱 |
| 2.3.5 光致发光谱 |
| 2.3.6 X-射线衍射 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 卤化物辅助三氧化钼粉末源大面积二硫化钼的制备及光电性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验方法 |
| 3.3 各类生长条件对MoS_2薄膜生长条件的影响 |
| 3.3.1 钼源加热温度的影响 |
| 3.3.2 硫源加热温度的影响 |
| 3.3.3 衬底和钼源距离的影响 |
| 3.3.4 钼源质量的影响 |
| 3.3.5 生长时间的影响 |
| 3.3.6 氩气流速的影响 |
| 3.3.7 卤化盐溶液浓度的影响 |
| 3.4 MoS_2-TFT的制备及电学性能表征 |
| 3.4.1 MoS_2-TFT的制备 |
| 3.4.2 MoS_2-TFT的电学性能表征 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 大面积二硫化钨在高k栅介质SrTiO_3上的制备及光学性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.3 各类生长条件对WS_2薄膜生长条件的影响 |
| 4.3.1 气源种类的影响 |
| 4.3.2 钨源加热温度的影响 |
| 4.3.3 保温时间的影响 |
| 4.4 低温对WS_2薄膜光致发光性能的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 金属薄膜源大面积二硫化钼和二硫化铂的制备及光电性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 钼金属薄膜前驱体的制备与处理 |
| 5.3 钼金属薄膜直接硫化法制备大面积二硫化钼薄膜 |
| 5.3.1 硫化前有无氧气热处理的影响 |
| 5.3.2 钼源加热温度的影响 |
| 5.4 铂金属源大面积二硫化铂的制备 |
| 5.4.1 材料制备 |
| 5.4.2 二硫化铂薄膜的表征 |
| 5.4.3 二硫化铂薄膜的电学性能 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 限域空间法制备大面积二硫化钼 |
| 6.1 大面积二硫化钼的制备 |
| 6.2 最佳条件下MoS_2-TFT的制备及电学性能表征 |
| 6.3 本章小结 |
| 第7章 结论与展望 |
| 7.1 主要的研究结论 |
| 7.2 本课题的创新之处 |
| 7.3 未来发展展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
（10）基于低维材料的器件构筑与电输运性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 从高维走向低维 |
| 1.1.1 碳纳米管 |
| 1.1.2 二维范德华层状材料的崛起 |
| 1.1.3 石墨烯 |
| 1.1.4 六方氮化硼 |
| 1.1.5 过渡金属族二硫化物 |
| 1.2 范德华异质结 |
| 1.3 场效应晶体管 |
| 1.4 超晶格 |
| 1.5 本论文的研究目的及意义 |
| 第2章 器件制备与表征 |
| 2.1 机械剥离 |
| 2.2 形貌及结构表征 |
| 2.2.1 光学显微镜 |
| 2.2.2 原子力显微镜 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 |
| 2.2.4 透射电子显微镜 |
| 2.3 拉曼光谱 |
| 2.4 干法转印 |
| 2.5 快速热退火 |
| 2.6 微纳器件制备 |
| 2.6.1 电极沉积 |
| 2.6.2 紫外光刻机 |
| 2.6.3 电子束曝光 |
| 2.6.4 原子层沉积 |
| 2.6.5 干法刻蚀 |
| 2.7 引线键合机 |
| 2.8 电输运测试 |
| 2.9 本章小结 |
| 第3章 二维范德华层状磁性材料1T-CrTe_2的探索 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 CrTe_2块体单晶的制备与表征 |
| 3.3 少层CrTe_2的空气稳定性研究 |
| 3.4 少层CrTe_2室温铁磁性 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 鳍式场效应晶体管的极限探索 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 单原子层鳍式场效应晶体管的探索 |
| 4.2.1 TMDs的生长制备以及电输运特性 |
| 4.2.2 单原子层鳍式场效应晶体管的构建 |
| 4.3 鳍式场效应晶体管的电输运及理论模拟 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 范德华异质结内的量子分形-霍夫斯塔特蝴蝶 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 霍夫斯塔特蝴蝶器件的设计与构建 |
| 5.3 霍夫斯塔特蝴蝶器件的电输运特性 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 |
四、软X射线辐照引入于SiO_2中的中性陷阱（论文参考文献）
- [1]高功率密度激发荧光材料的反常热猝灭效应[J]. 张曦月,张乐,孙炳恒,马跃龙,康健,侯晨,姜本学,刘永福,陈浩. 发光学报, 2021(10)
- [2]壳层TiO2界面电子的调控及光催化还原U（Ⅵ）性能与机理研究[D]. 董志敏. 东华理工大学, 2021
- [3]离子液体辅助制备Cu-In-Zn-S和CsPbX3纳米晶及其荧光性能研究[D]. 徐彦乔. 景德镇陶瓷大学, 2021(11)
- [4]二维MoS2光电性能调控及器件基础研究[D]. 沈涛. 北京科技大学, 2021
- [5]无铅双钙钛矿Cs2AgInCl6的合成及光学性能研究[D]. 巩枭凯. 天津理工大学, 2021(08)
- [6]含PtSn合金纳米颗粒的中空介孔二氧化硅纳米反应器的制备及其在糠醛加氢中的应用[D]. 肖涛. 华东理工大学, 2021(08)
- [7]掺锗二氧化硅光纤的物性调控研究[D]. 关晓宁. 北京邮电大学, 2021(01)
- [8]基于界面效应调控的新型二维光电器件研究[D]. 谢柳. 中国科学技术大学, 2021(09)
- [9]大面积二维过渡金属硫化物MS2（M=Mo,W,Pt）的制备及光电性能研究[D]. 周子皓. 南昌大学, 2021
- [10]基于低维材料的器件构筑与电输运性能研究[D]. 孙兴丹. 中国科学技术大学, 2021(09)